Determination of structural origin of Si 2p core level shift in As/Si(001)-2x1 surface.
R. Gunnella, H. W. Yeom, E. L. Bullock, L. S. O. Johansson, S. Kono, F. Solal.
Formation et empilement de boites quantiques InAs sur substrat InP émettant à 1.55 µm.
N. Bertru, C. Paranthoen, O. Dehaese, A. Le Corre, S. Loualiche, B. Lambert, A. Ponchet et G.Patriache.
hétérostructures
épitaxiées Fe/GaAs(001) : Relaxation des contraintes et
défauts d'interface.
C. Lallaizon, P. Schieffer, B. Lépine, A. Guivarc'h, P.
Gergaud, O. Thomas, F. Abel, C. Cohen.
hétérostructures Fe/semi-conducteurs III-V(001) : Propriétés magnétiques.
C. Lallaizon, B. Lépine,
A. Guivarc'h, F. Nguyen Van Dau, P. Gergaud, O. Thomas.
Etude par diffraction de photoélectrons de surfaces de GaAs et (GaIn)As exposées à un flux d'antimoine.
S. Ababou, B. Lépine, F.Solal, P. Schieffer, D. Sébilleau, G. Jézéquel.